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工商時報【涂志豪╱台北報導】桃園市楊梅區投資外匯新北市蘆洲區外匯定存

今年NAND Flash製程持續往10奈米進行微縮，但因物理極限問題已出現發展瓶頸，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產能出現排擠，NAND Flash產出量明顯減少，而3D NAND產出又十分有限。在製程及產品線世代交替的青黃不接情況下，正好遇到智慧型手機及固態硬碟（SSD）備貨旺季，NAND Flash因此出現缺貨問題，5月以來價格持續走高。

據模組業者指出，美系品牌64Gb MLC規格NAND Flash現貨價已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規格NAND Flash現貨價亦漲到3.8美元以上，5月以來平均漲幅介於8～14％。不過，由於NAND Flash漲價，帶動eMMC/eMCP、記憶卡等終端價格大漲，8月以來價格漲高後已開始壓抑終端需求，因此NAND Flash價格近期小幅走軟，業界認為，供不應求壓力已陸續獲得紓解。

由於上游晶片廠持續將產臺南市官田區附近銀行能移轉生產3D NAND，導致2D架構NAND Flash產出量下滑，因此今年5月以來NAND Flash價格持續走高，不過8月以來因為價格漲高後開始壓抑終新竹市香山區理財銀行推薦端需求，因此NAND Flash缺貨壓力已獲紓解。然而以三星、美光、英特爾、東芝等業者的擴產計畫來看，3D NAND產能將在明年大量開出，明年將是3D NAND殺戮戰場。

在3D NAND的發展上，三星及東芝的進度最快，已經推出64層堆疊的3D NAND晶片，容量上看256～512Gb，而且在同樣產線上，位元出貨量可較NAND Flash成長3成左右。雖然3D NAND有助於NAND晶片廠成本下降，但是在所有NAND廠全數投入情況下，業界對明年3D NAND看法保守，價格戰已難以避免，明年將是3D NAND殺戮戰場。

至今年底為止，各家記高雄市鳥松區外匯理財推薦>臺南市下營區銀行分行憶體廠的3D NAND生產線將陸續進入量產，包括三星Fab16、SK海力士M14、美光F10x、東芝新建的Fab2、以及英特爾大連廠等新北市石碇區外匯推薦銀行。

業界認為，智慧型手機的搭載容量已上看256GB，固態硬碟主流容量也上看512GB，加上資料高雄市杉林區外匯推薦銀行中心開始採用NAND Flash儲存陣列，NAND Flash市場的確仍有很大的成長空間，只是3D NAND明年產能大量開出後，終端市場要大量去化如此龐大的新產能，並不是件太容易的事，所以明年NAND Flash價格下滑風險已然大增。

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